PSM位置傳感模塊-位置傳感器模塊 產(chǎn)品描述:
PSM位置傳感模塊-位置傳感器模塊 是封裝的位置傳感探測(cè)器,可搭配On-Trak的OT-301SL、OT-301DL或OT-301位置傳感放大器一起使用,提供與探測(cè)器活動(dòng)區(qū)域上光斑位置成正比的模擬輸出。PSM系列是一種即插即用的解決方案,所有PSMs都包含一個(gè)微型9針連接器,可以直接插入任何On-Trak的位置傳感放大器,接通電源即可使用,操作非常簡(jiǎn)單。
每個(gè)模塊都包含一個(gè)線性、雙邊、四邊或象限位置傳感探測(cè)器,可從幾個(gè)不同的PSM組件配置中進(jìn)行選擇。所有模塊都易于封裝,允許同時(shí)監(jiān)測(cè)位置和光強(qiáng)度。PSM位置傳感模塊有兩種封裝尺寸:標(biāo)準(zhǔn)型和緊湊型。標(biāo)準(zhǔn)尺寸為2.8英寸x 2.45英寸x 1.125英寸。緊湊型尺寸為1.25英寸x 1.25英寸x 0.975英寸。PSM可在惡劣的環(huán)境照明條件下工作。每個(gè)模塊都可以具有一個(gè)完整的可選過(guò)濾器范圍,以減少環(huán)境光引起的噪音影響。此外,每個(gè)模塊都包含一個(gè)過(guò)濾器支架,無(wú)需額外費(fèi)用。所有的PSM都有標(biāo)準(zhǔn)的安裝孔,便于安裝在現(xiàn)有的實(shí)驗(yàn)室設(shè)備上,易操作,可在幾分鐘內(nèi)運(yùn)行設(shè)備。
產(chǎn)品特點(diǎn):
- 封裝的位置傳感探測(cè)器
- 硅線性:400-1100 nm
硅雙邊:400-1100nm
硅象限:400-1100 nm
鍺四邊形:800-1800 nm
- 即插即用設(shè)計(jì)
- 與所有On-Trak位置傳感放大器兼容
- 可在惡劣的環(huán)境照明條件下工作
- 標(biāo)準(zhǔn)安裝孔
- 可拆卸的濾光片支架適配器
- 堅(jiān)固的鋁制外殼
On-trak PSM組件:
技術(shù)參數(shù)(* 用于調(diào)零應(yīng)用):
型號(hào) | 有效區(qū)域 (mm) | 探測(cè)器 | 波長(zhǎng)范圍 | 封裝 | 典型分辨率 | 典型線性度 |
PSM 1-2.5 | 2.5 x 0.6 | Linear Silicon | 400-1100 nm | 緊湊 | 62.5 nm | 0.1% |
PSM 1-5 | 5.0 x 1.0 | Linear Silicon | 400-1100 nm | 緊湊 | 125 nm | 0.1% |
PSM 1-10 | 10.0 x 2.0 | Linear Silicon | 400-1100 nm | 標(biāo)準(zhǔn) | 250 nm | 0.1% |
PSM 1-20 | 20.0 x 3.0 | Linear Silicon | 400-1100 nm | 標(biāo)準(zhǔn) | 500 nm | 0.1% |
PSM 1-30 | 30.0 x 4.0 | Linear Silicon | 400-1100 nm | 標(biāo)準(zhǔn) | 750 nm | 0.1% |
PSM 2-2 | 2.0 x 2.0 | Duolateral Silicon | 400-1100 nm | 緊湊 | 50 nm | 0.3% |
PSM 2-3I | 3.0 x 3.0 | Quadrant InGaAs | 900-1700 nm | 緊湊 | 100 nm | N/A* |
PSM 2-4 | 4.0 x 4.0 | Duolateral Silicon | 400-1100 nm | 緊湊 | 100 nm | 0.3% |
PSM 2-4Q | 4.0 x 4.0 | Quadrant Silicon | 400-1100 nm | 緊湊 | 100 nm | N/A* |
PSM 2-5G | 5.0 x 5.0 | Pincushion Tetralateral Germanium | 800-1800 nm | 緊湊 | 5 μm | – |
PSM 2-10 | 10.0 x 10.0 | Duolateral Silicon | 400-1100 nm | 標(biāo)準(zhǔn) | 250 nm | 0.3% |
PSM 2-10Q | 9.0 x 9.0 | Quadrant Silicon | 400-1100 nm | 標(biāo)準(zhǔn) | 100 nm | N/A* |
PSM 2-10G | 10.0 x 10.0 | Pincushion Tetralateral Germanium | 800-1800 nm | 標(biāo)準(zhǔn) | 5 μm | – |
PSM 2-20 | 20.0 x 20.0 | Duolateral Silicon | 400-1100 nm | 標(biāo)準(zhǔn) | 500 nm | 0.3% |
PSM 2-45 | 45.0 x 45.0 | Duolateral Silicon | 400-1100 nm | 標(biāo)準(zhǔn) | 1.25 μm | 0.3% |