BHAST高加速老化測(cè)試箱

B-HAST高加速壽命偏壓老化測(cè)試系統(tǒng)適用于IC封裝，半導(dǎo)體，微電子芯片，磁性材料及其它電子零件進(jìn)行高壓、高溫、不飽和/飽和濕熱、等加速壽命信賴(lài)性試驗(yàn)，使用于在產(chǎn)品的設(shè)計(jì)階段，用于快速暴露產(chǎn)品的缺陷和薄弱環(huán)節(jié)。測(cè)試其制品的密封性和老化性能。

BHAST高加速老化測(cè)試箱

B-HAST高加速壽命偏壓老化測(cè)試系統(tǒng)是將被測(cè)元件放置于一定的環(huán)境溫度中,（環(huán)境溫度依據(jù)被測(cè)元件規(guī)格設(shè)定）給被測(cè)元件施加一定的偏置電壓。同時(shí)控制系統(tǒng)實(shí)時(shí)檢測(cè)每個(gè)材料的漏電流，電壓，并根據(jù)預(yù)先設(shè)定，當(dāng)被測(cè)材料實(shí)時(shí)漏電流超出設(shè)定時(shí)，自動(dòng)切斷被測(cè)材料的電壓，可以保護(hù)被測(cè)元件不被進(jìn)一步燒毀。

BHAST高加速老化測(cè)試箱 特點(diǎn)：

每顆器件的Vgs獨(dú)立控制

實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)每個(gè)試驗(yàn)器件的Id、Ig

控制上、下電時(shí)序

全過(guò)程試驗(yàn)數(shù)據(jù)保存于硬盤(pán)中，可輸出Excel

試驗(yàn)報(bào)表和繪制全過(guò)程漏電流IR變化曲線(xiàn)

漏電流超限保護(hù)，自動(dòng)切斷測(cè)量回路

應(yīng)用：

二極管，三極管，MOSFET，IGBT，SBD，GaN Fet, SCR以及各種封裝形式的射頻場(chǎng)效應(yīng)管、射頻功率器件進(jìn)行溫濕度下反偏試驗(yàn) 。

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