勞厄單晶取向測(cè)試系統(tǒng):
- 背散射勞厄測(cè)試系統(tǒng),實(shí)時(shí)確定晶體方向,精度高達(dá)0.1度;
- PSEL 軟件定向誤差低至 0.05度;
- 多晶硅片二維定向mapping;
- 大批量樣品篩選;
- 超20kg重負(fù)荷樣品定位
水平放置系統(tǒng)
特征 | 優(yōu)點(diǎn) |
<200um 光束尺寸 | 可測(cè)量小 晶體 |
電動(dòng)位移臺(tái) | 可沿生長(zhǎng)軸軸向掃描 |
電動(dòng)角位移 | 與同步加速器/中子設(shè)備直接兼容 |
手動(dòng)角位移 | 與切割刀具直接兼容 |
垂直放置系統(tǒng)
特征 | 優(yōu)點(diǎn) |
<200um 光斑 | 適用于小晶粒的多晶結(jié)構(gòu) |
大范圍電動(dòng)線性掃描位移臺(tái) | 允許自動(dòng)晶圓mapping或多個(gè)樣品 |
電動(dòng)Z 軸驅(qū)動(dòng) | 適用大尺寸晶棒或樣品 |
手動(dòng)角位移 | 允許定位到+/- 0.02度精度 |
配備PSEL CCD 背反射勞厄X-RAY 探測(cè)器:
- 有效輸入探測(cè)面約: 155*105 mm
- 最小輸入有效像素尺寸83um,1867*1265 像素陣列
- 可選曝光時(shí)間從1ms 到35分鐘
- 芯片上像素疊加允許以犧牲分辨率為代價(jià)增強(qiáng)靈敏度
- 自動(dòng)背景扣除模式
- 16位高精度采集模式
- 12位快速預(yù)覽模式
- PSEL 勞厄影像采集處理專業(yè)軟件
勞厄影像校準(zhǔn)軟件:
- 自動(dòng)檢測(cè)衍射斑點(diǎn),并根據(jù)參考晶體計(jì)算斑點(diǎn)位置;
- 根據(jù)測(cè)角儀和晶體軸自動(dòng)計(jì)算定向誤差(不需要手動(dòng)擬合扭曲的圖形)
- 以CSV格式保存角度測(cè)量值,以進(jìn)一步保證質(zhì)量的可追溯性;
- 頂部到底部的終端用戶菜單,允許結(jié)晶學(xué)用戶自行逐步確認(rèn)定位程序;
- 基于Python的軟件,允許使用套接字命令對(duì)現(xiàn)有軟件/系統(tǒng)進(jìn)行遠(yuǎn)程訪問(wèn)控制;
系統(tǒng)附件包括:
- 勞厄X-RAY 探測(cè)器
- 勞厄校準(zhǔn)軟件
- 高亮度X-RAY 發(fā)生器
- 電動(dòng)/手動(dòng) 角位移臺(tái)& 高精度位移臺(tái);
- 樣本定位/視頻監(jiān)控 攝像頭;
- 激光距離傳感器/操縱桿
典型勞厄衍射應(yīng)用圖樣:
勞厄單晶取向測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)用方向:
- 探測(cè)器材料: HgCdTe/CdTe, InGaAs, InSb;
- 窗口玻璃材料&壓電/鐵電陶瓷: Al2O3, Quantz,LiNbO3
- 金屬合金: 鎢,鉬,鎳基合金;
- 激光晶體材料: YAG, KTP, GaAs
- 薄膜/半導(dǎo)體基地材料: AIN, InP SiC;
- 磁性&超導(dǎo)材料: BCO/BSCCO/HBCCO, FeSe, NbSn/NbTi
- 閃爍體材料: BGO/LYSO, CdWO4, BaF2/CaF2;