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IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀器

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱武漢普賽斯儀表有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號(hào)E300
  • 所  在  地武漢市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2024/1/30 16:26:53
  • 訪問(wèn)次數(shù)496
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武漢普賽斯儀表有限公司坐落于國(guó)家*產(chǎn)業(yè)基地“武漢·中國(guó)光谷”,是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)于一體的技術(shù)型企業(yè),擁有以碩士、博士學(xué)歷為主的研發(fā)團(tuán)隊(duì)和經(jīng)驗(yàn)豐富的管理服務(wù)團(tuán)隊(duì)。
    普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等,*國(guó)產(chǎn)空白。主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的測(cè)試工藝,為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案。為半導(dǎo)體封測(cè)廠家提供相關(guān)測(cè)試儀表、測(cè)試平臺(tái),以及相關(guān)技術(shù)服務(wù),滿足行業(yè)對(duì)測(cè)試效率、測(cè)試精度,以及低成本的挑戰(zhàn)。

 武漢普賽斯將以服務(wù)客戶為中心,追求可持續(xù)發(fā)展為道路,精益求精,堅(jiān)持不懈,努力將自身打造成行業(yè)B桿。



源表,數(shù)字源表,脈沖電流源,脈沖源表,VCSEL測(cè)試系統(tǒng)
產(chǎn)地 國(guó)產(chǎn) 產(chǎn)品新舊 全新
自動(dòng)化程度 半自動(dòng) 測(cè)試范圍 0~3000V,0~100mA
輸出電壓建立時(shí)間 < 5ms; 輸出接口 KHV(三同軸),支持四線測(cè)量;
IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀器認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等,*國(guó)產(chǎn)空白
IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀器 產(chǎn)品信息

IGBT簡(jiǎn)介:

IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見(jiàn)的功率器件,期間經(jīng)常使用在強(qiáng)電流高電壓的場(chǎng)景中,如電動(dòng)汽車、變電站等。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成,兼具了高輸入阻抗及低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn),IGBT是電力電子設(shè)備的“cpu”,被國(guó)家列為重點(diǎn)研究對(duì)象。


IGBT測(cè)試難點(diǎn):

1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多個(gè)測(cè)量模塊協(xié)同測(cè)試。

2、IGBT的漏電流越小越好,所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。

3、IGBT動(dòng)態(tài)電流范圍大,測(cè)試時(shí)需要量程范圍廣,且量程可以自動(dòng)切換的模塊進(jìn)行測(cè)試。

4、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下,自加熱效應(yīng)明顯,脈沖測(cè)試可以減少自加熱效應(yīng),所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測(cè)試,用于評(píng)估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容,且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測(cè)試非常重要。

6、IGBT開(kāi)關(guān)特性非常重要,需要進(jìn)行雙脈沖動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試。


IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀器認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等,*國(guó)產(chǎn)空白。主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的測(cè)試工藝,為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案。為半導(dǎo)體封測(cè)廠家提供相關(guān)測(cè)試儀表、測(cè)試平臺(tái),以及相關(guān)技術(shù)服務(wù),滿足行業(yè)對(duì)測(cè)試效率、測(cè)試精度,以及低成本的挑戰(zhàn)。


那么IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試需要哪些儀器呢?

E系列高電壓源測(cè)單元具有輸出及測(cè)量電壓高3000V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在D一象限,輸出及測(cè)量電壓0~3000V輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式,同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式

用于IGBT擊穿電壓測(cè)試,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測(cè)試,壓敏電阻耐壓測(cè)試等場(chǎng)合。其恒流模式對(duì)于快速測(cè)量擊穿點(diǎn)具有重大意義。

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E300高電壓源測(cè)單元


HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源,具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(10uS)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。

設(shè)備可應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合,使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“電流-導(dǎo)通電壓”掃描測(cè)試。

背景圖.jpg

HCPL100型高電流脈沖電源


P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達(dá)10A,Z大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。P系列源表適用于各行各業(yè)使用者,特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體、納米器件和材料、有機(jī)半導(dǎo)體、印刷電子技術(shù)以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。

脈沖源表背景1.jpg

P系列脈沖源表


總之,IGBT模組靜態(tài)參數(shù)測(cè)試需要的儀器是一系列的,具體可以找生產(chǎn)廠家普賽斯儀表為您提供檢測(cè)方案哦!

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