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大功率IGBT測試設(shè)備

參考價	￥ 60000
訂貨量	≥1臺

具體成交價以合同協(xié)議為準

公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
品牌其他品牌
型號HUSTEC-1600A-MT
所在地深圳市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時間2020/10/20 17:09:28
訪問次數(shù)623

產(chǎn)品標(biāo)簽:

IGBT測試儀 IGBT測試儀設(shè)備 IGBT靜態(tài)測試儀 IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀功率半導(dǎo)體測試儀

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公司介紹主營產(chǎn)品

深圳市華科智源科技有限公司，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù)的*，坐落于改革開放之都-中國深圳，核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測準備研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測儀，MOS管直流參數(shù)測試儀，MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀，IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀，在線式檢修用IGBT測試儀，變頻器檢修用IGBT測試儀，IGBT模塊測試儀，軌道交通檢修用IGBT測試儀，風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測試儀，產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢，將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計、制造、封裝廠商及高校研究所等；
華夏神州，科技興國，智能創(chuàng)新，源遠流長；華科智源公司核心團隊由華中科技大學(xué)等國內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專家等技術(shù)人才組建，致力于中國功率半導(dǎo)體事業(yè)，積極響應(yīng)國家提出的中國制造2025戰(zhàn)略，投身于半導(dǎo)體測試設(shè)備。
深圳華科智源科技有限公司-，功率器件測試方案供應(yīng)商，2025中國制造 • 芯片設(shè)計及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來料選型。

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首件檢測儀,首件檢測系統(tǒng)，SMT智能首件檢測儀，首樣檢測，首板確認

產(chǎn)品簡介在線詢價

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產(chǎn)品簡介 Introducion

大功率IGBT測試設(shè)備HUSTEC-1600A-MT是一款大功率器件參數(shù)測試儀，可用于IGBT單管及模塊，SIC器件，MOS管，二極管等功率器件的靜態(tài)參數(shù)測試。

大功率IGBT測試設(shè)備產(chǎn)品信息

HUSTEC-1600A-MT

大功率IGBT測試設(shè)備

Power Device Static Parameter Tester

大功率IGBT測試設(shè)備產(chǎn)品簡介 Introducion

HUSTEC-1600A-MT是一款大功率器件參數(shù)測試儀，可用于IGBT單管及模塊，SIC器件，MOS管，二極管等功率器件的靜態(tài)參數(shù)測試。

產(chǎn)品測試電流電壓為1600A,±5000V,向下兼容，可升級到3KA/10KV.

VGE可達±100V；開啟電壓VGETH支持兩種測試方法；

采用插槽式設(shè)計結(jié)構(gòu)，便于升級和維護；

設(shè)備支持SI基，SIC材料的MOS管，IGBT單管及模塊，二極管測試，晶閘管測試，

自動進行分檔測試，既覆蓋大功率特征下的測試范圍，又可保證小功率器件測試精度

支持單點測試，I-V曲線掃描，還具有曲線對比功能；同一規(guī)格型號，不同批次的產(chǎn)品曲線對比，同一規(guī)格，不同廠家之家的產(chǎn)品曲線對比

開放通訊接口，可以連接探針臺做wafer / chip 測試，也可以連接HANDLE,夾具及適配器做模塊測試,

測試數(shù)據(jù)可存儲為Excel文件，WORD報告

技術(shù)指標(biāo) Technical Specifications

技術(shù)指標(biāo)
★	3.4	VGE(th)柵極閾值電壓	VGE：0.1～10V±1%±0.01V；
	3.5	VGE(th) 測試條件與精度	集電極電流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA； 200～1000mA±1%±2mA；
★	3.6	VCES集射極截止電壓	VCES：0-5000V±1%±2V；
	3.7	VCES 測試條件與精度	集電極電流ICES： 0.01～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA；
★	3.8	ICES集射極截止電流	集電極電流ICES：0.01～50mA 0.001～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA；
	3.9	ICES 測試條件與精度	集電極電壓VCES：50～500V±1%±1V； 500～5000V±1%±2V；
★	3.10	VCE(sat)飽和導(dǎo)通壓降	集電極電壓VCEs：0.001～10V±0.5%±0.001V
	3.11	VCE(sat) 測試條件與精度	柵極電壓Vge：5～40V±1%±0.01V 集電極電流ICE：0-1600A 0～100A±1%±1A； 100～1600A±1%±1A；
★	3.12	Iges柵極漏電流	柵極漏電流IGEs：0.01～10μA±2%±0.005μA
	3.13	Iges測試條件與精度	柵極電壓Vge：±1Ｖ～100V±1%±0.1V；Vce=0V；
★	3.14	VF正向特性測試	二極管導(dǎo)通電壓Vf：0.1～10V±1%±0.01V
	3.15	VF正向特性測試測試條件與精度	電流IF：0～100A±2%±1A； 100～1600A±1%±2A；