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詳細(xì)介紹
詳情介紹：
單室磁控濺射鍍膜儀設(shè)備用途：
用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應(yīng)用于大專(zhuān)院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。
單室磁控濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù)：
真空室 圓型真空室，尺寸? 450×50mm 真空系統(tǒng)配置 復(fù)合分子泵、機(jī)械泵、閘板閥 極限壓力 ≦6.67*10-5 Pa （經(jīng)烘烤除氣后） 恢復(fù)真空時(shí)間 40 分鐘可達(dá)到6 .6*10-4 Pa 。（系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充入干燥氮?dú)夂箝_(kāi)始抽氣） 磁控靶組件 永磁靶三套；靶材尺寸?60mm（其中一個(gè)可濺射磁性材料）；各靶射頻灘射和直流裁射兼容；靶內(nèi)水冷；三個(gè)靶可共同折向上面的樣品中心；靶與樣品距離 90~110mm可調(diào)；當(dāng)直接向上濺射時(shí)，靶與樣品距離40~80mm可調(diào) 基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺(tái) 基片結(jié)構(gòu) 基片加熱與水冷獨(dú)立工作，取下加熱爐可以換上水冷基片臺(tái) 樣品尺寸 ?30mm 運(yùn)動(dòng)方式 基片可連續(xù)回轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速 5~10 轉(zhuǎn)／分 加熱 基片加熱*高溫度600℃±1℃ 基片負(fù)偏壓 －200V 氣路系統(tǒng) 質(zhì) 量 流 量 控制器 2 路 計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng) 控制樣品轉(zhuǎn)動(dòng)，擋板開(kāi)關(guān)，靶位確認(rèn)等 可選配件6工位基片加熱公轉(zhuǎn)臺(tái) 拆下單基片水冷加熱臺(tái)可以換上該轉(zhuǎn)臺(tái)?？赏瑫r(shí)放置6片30mm的基片；6個(gè)工位中，其中一個(gè)工位安裝加熱爐，其余工位為自然冷卻基片臺(tái)；基片加熱*高溫度600℃ ±1℃ 設(shè)備占地面積 主機(jī) I300×800mm2 電控柜 70×700m2
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