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無(wú)錫冠亞恒溫制冷技術(shù)有限公司>>元器件高低溫測(cè)試裝置>>半導(dǎo)體制冷機(jī)/冷水機(jī)>>FLT-002元器件循環(huán)制冷機(jī) 半導(dǎo)體制作過(guò)程水冷機(jī)

元器件循環(huán)制冷機(jī) 半導(dǎo)體制作過(guò)程水冷機(jī)

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參考價(jià) 158474
訂貨量 1臺(tái)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào) FLT-002
  • 品牌 冠亞制冷
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 無(wú)錫市

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更新時(shí)間:2023-12-20 13:57:07瀏覽次數(shù):321

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

產(chǎn)地 國(guó)產(chǎn) 產(chǎn)品大小 小型
產(chǎn)品新舊 全新 結(jié)構(gòu)類(lèi)型 半封閉式,立式
結(jié)構(gòu)類(lèi)型 半封閉式,立式 溫度 低溫冷水機(jī)
【無(wú)錫冠亞】半導(dǎo)體控溫解決方案主要產(chǎn)品包括半導(dǎo)體專(zhuān)?溫控設(shè)備、射流式?低溫沖擊測(cè)試機(jī)和半導(dǎo)體??藝廢?處理裝置等?設(shè)備,?泛應(yīng)?于半導(dǎo)體、LED、LCD、太陽(yáng)能光伏等領(lǐng)域。元器件循環(huán)制冷機(jī) 半導(dǎo)體制作過(guò)程水冷機(jī)

詳細(xì)介紹


無(wú)錫冠亞恒溫制冷技術(shù)有限公司的半導(dǎo)體控溫解決方案

主要產(chǎn)品包括半導(dǎo)體專(zhuān)?溫控設(shè)備、射流式?低溫沖擊測(cè)試機(jī)和半導(dǎo)體??藝廢?處理裝置等?設(shè)備,

?泛應(yīng)?于半導(dǎo)體、LED、LCD、太陽(yáng)能光伏等領(lǐng)域。


半導(dǎo)體行業(yè)主營(yíng)控溫產(chǎn)品:


半導(dǎo)體專(zhuān)溫控設(shè)備

射流式?低溫沖擊測(cè)試機(jī)

半導(dǎo)體專(zhuān)用溫控設(shè)備chiller

Chiller氣體降溫控溫系統(tǒng)

Chiller直冷型

循環(huán)風(fēng)控溫裝置

半導(dǎo)體?低溫測(cè)試設(shè)備

電?設(shè)備?溫低溫恒溫測(cè)試?yán)錈嵩?/span>

射流式高低溫沖擊測(cè)試機(jī)

快速溫變控溫卡盤(pán)

數(shù)據(jù)中心液冷解決方案




型號(hào)FLT-002FLT-003FLT-004FLT-006FLT-008FLT-010FLT-015
FLT-002WFLT-003WFLT-004WFLT-006WFLT-008WFLT-010WFLT-015W
溫度范圍5℃~40℃
控溫精度±0.1℃
流量控制  10~25L/min  5bar max15~45L/min  6bar max25~75L/min  6bar max
制冷量at10℃6kw8kw10kw15 kw20kw25kw40kw
內(nèi)循環(huán)液容積4L5L6L8L10L12L20L
膨脹罐容積10L10L15L15L20L25L35L
制冷劑R410A
載冷劑硅油、氟化液、乙二醇水溶液、DI等  (DI溫度需要控制10℃以上)
進(jìn)出接口ZG1/2ZG1/2ZG3/4ZG3/4ZG3/4ZG1ZG1
冷卻水口ZG1/2ZG1/2ZG3/4ZG1ZG1ZG1ZG1 1/8
冷卻水流量at20℃1.5m3/h2m3/h2.5m3/h4m3/h4.5m3/h5.6m3/h9m3/h
電源380V3.5kW4kW5.5kW7kW9.5kW12kW16kW
溫度擴(kuò)展通過(guò)增加電加熱器,擴(kuò)展-25℃~80℃




元器件循環(huán)制冷機(jī) 半導(dǎo)體制作過(guò)程水冷機(jī)

元器件循環(huán)制冷機(jī) 半導(dǎo)體制作過(guò)程水冷機(jī)


  集成電路晶圓制造Chiller在半導(dǎo)體制造工藝中作為一種制冷加熱動(dòng)態(tài)控溫設(shè)備,可以用在不同的工藝中,以下是在半導(dǎo)體制造工藝中的應(yīng)用:

  1、氧化工藝:在氧化工藝中,需要將硅片放入氧化爐中,并在高溫下進(jìn)行氧化反應(yīng)。集成電路晶圓制造Chiller可以控制氧化爐的溫度和氣氛,以確保氧化反應(yīng)的穩(wěn)定性和均勻性。

  2、退火工藝:在退火工藝中,需要將硅片加熱到一定溫度,并保持一段時(shí)間,以消除晶格中的應(yīng)力并改善材料的性能。集成電路晶圓制造Chiller可以控制退火爐的溫度和時(shí)間,以確保退火過(guò)程的穩(wěn)定性和可靠性。

  3、刻蝕工藝:在刻蝕工藝中,需要將硅片暴露在化學(xué)試劑中,以去除不需要的材料。集成電路晶圓制造Chiller可以控制化學(xué)試劑的溫度和流量,以確??涛g過(guò)程的穩(wěn)定性和精度。

  4、薄膜沉積工藝:在薄膜沉積工藝中,需要將材料沉積在硅片上,以形成所需的薄膜結(jié)構(gòu)。集成電路晶圓制造Chiller可以控制沉積設(shè)備的溫度和氣氛,以確保薄膜沉積的穩(wěn)定性和質(zhì)量。

  5、離子注入工藝:在離子注入工藝中,需要將離子注入到硅片中,以改變材料的性質(zhì)和結(jié)構(gòu)。集成電路晶圓制造Chiller可以控制離子注入設(shè)備的溫度和電流,以確保離子注入的穩(wěn)定性和精度。



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