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微型PECVD系統(tǒng)

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  • 微型PECVD系統(tǒng)

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參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號 BTF-1200C-S-PECVD
  • 品牌 其他品牌
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 合肥市

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更新時間:2021-06-10 17:15:08瀏覽次數(shù):871

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產(chǎn)品簡介

產(chǎn)地 國產(chǎn) 產(chǎn)品新舊 全新
微型PECVD系統(tǒng),它包括小型真空管式爐,石英真空室、真空抽氣與真空測量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、射頻電源系統(tǒng)、物料噴射系統(tǒng)。電源范圍寬:0-100W可調(diào); 溫度范圍寬:100-1200度可調(diào);濺射區(qū)域?qū)挘?-600mm可調(diào);適用范圍寬:金屬薄膜,陶瓷薄膜等,復(fù)合薄膜,連續(xù)生長各種薄膜等。增加功能容易,可擴展等離子清洗刻蝕等功能。

詳細(xì)介紹

主要特點

 

    1. 薄膜沉積速率高:采用了甚高頻技術(shù),大大的提高了薄膜的沉積速率,沉積速率可達(dá)10Å/S;
    2. 大面積均勻性高:采用了*的多點射頻饋入技術(shù),特殊氣路分布和加熱技術(shù)等,使得薄膜均勻性指標(biāo)達(dá)到8%;
    3. 一致性高:用半導(dǎo)體行業(yè)的*設(shè)計理念,使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%;
    4. 工藝穩(wěn)定性高:高度穩(wěn)定的設(shè)備保證了工藝的連續(xù)和穩(wěn)定;

    5. 選配物料噴射系統(tǒng),可將原料直接噴射到反應(yīng)區(qū)。

 

技術(shù)參數(shù)

 

 

 

 

真空管式爐

爐管尺寸:

外徑Φ50×700mm

極限溫度:

1200℃

溫度控制器:

PID自動控制晶閘管(可控硅)輸出功率,30段可編程控制器

zui快升降溫速率:

60℃

加熱區(qū):

230mm

恒溫區(qū):

100mm

溫度精度:

±1℃

電源:

單相220V,交流50Hz

 

 

 

多通道流量計控制系統(tǒng)

標(biāo)準(zhǔn)量程:

100,200SCCM;(以氮氣標(biāo)定,除以上標(biāo)準(zhǔn)外量程可選)

準(zhǔn)確度:

±1.5%

工作壓差范圍:

0.1~0.5 MPa

zui大壓力:

3MPa

接頭類型:

Φ6雙卡套不銹鋼接頭

 

 

高真空系統(tǒng)

                   

 

泵體積流量N2

33 L/S

壓縮比:

≥1011mbar   

實驗真空值:

≤10-6mbar

功率消耗:

140W

啟動時間:

2min

電源要求:

185-265V AC

射頻電源

信號頻率:

13.56MHz±0.005%W

功率輸出范圍:

0-100W

zui大反射功率:

10W

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