常溫型銦鎵砷探測(cè)器(常溫型InGaAs探測(cè)器)
● DInGaAs1650型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)InGaAs元件
● DInGaAs1700-R03M型內(nèi)裝進(jìn)口InGaAs元件
● DInGaAs2600-R03M型內(nèi)裝進(jìn)口大面積InGaAs元件
光譜響應(yīng)度曲線參考圖
型號(hào)/參數(shù) | DInGaAs1650 | DInGaAs1700-R03M | DInGaAs2600-R03M |
光敏面直徑(mm) | 3 | 3 | 3 |
波長(zhǎng)范圍(nm) | 800-1700 | 800-1700 | 800-2600 |
峰值響應(yīng)度(A/W, *小) | 0.85 | 0.9 | 1.1 |
暗電流(nA, *大) | 200 | 100 | 1mA |
D*(典型值) | - | 2.3×1012 | 4.1×1010 |
NEP(典型值) | - | 1.2×10-13 | 6.5×10-12 |
阻抗(MΩ) | 1 | 1.5 | 320Ω |
電容(pF) | 1500 | 800 | 9000 |
響應(yīng)時(shí)間(ns) | 160 | 100 | 1μs |
信號(hào)輸出模式 | 電流 | 電流 | 電流 |
輸出信號(hào)極性 | 正(P) | 正(P) | 正(P) |