美國Trion Technology反應(yīng)式離子刻蝕(RIE/ICP)系統(tǒng)及沉積(PECVD)系統(tǒng)

美國Trion Technology反應(yīng)式離子刻蝕(RIE/ICP)系統(tǒng)及沉積(PECVD)系統(tǒng)

Trion始于一九八九年的等離子刻蝕與沉積系統(tǒng)制造商，Trion為化合物半導(dǎo)體、MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))、光電器件以及其他半導(dǎo)體市場提供多種設(shè)備。我們的產(chǎn)品在業(yè)內(nèi)以系統(tǒng)占地面積最小、成本低而著稱，且設(shè)備及工藝的可靠性和穩(wěn)定性久經(jīng)考驗(yàn)。從整套的批量生產(chǎn)用設(shè)備，到簡單的實(shí)驗(yàn)室研發(fā)用系統(tǒng)，盡在Trion。

Trion提供升級及回收方案給現(xiàn)有Matrix客戶。

批量生產(chǎn)用設(shè)備:

去膠系統(tǒng)

- 低損傷去膠系統(tǒng)

新式去膠系統(tǒng)的成本已攀升到不合理水平，但Trion已通過兩套價格低廉、緊湊的多功能系統(tǒng)使這一關(guān)鍵問題得到解決：Gemini和Apollo。利用ICP(電感耦合等離子)、微波和射頻偏置功率，可以在低溫條件下將難于消除的光刻膠去除。根據(jù)應(yīng)用要求，每套系統(tǒng)可以結(jié)合SST-Lightning 微波源(既可靠又沒有任何常見的微波調(diào)諧問題) 或ICP 技術(shù)。

• 刻蝕速率高達(dá)6微米/分
• 高產(chǎn)量
• 等離子損傷低
• 自動匹配單元
• 適用于100mm 到300mm 基片
• 設(shè)備占地面積小
• 價格具競爭性

刻蝕/沉積

Titan是一套用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的十分緊湊、全自動化、帶預(yù)真空室的等離子系統(tǒng)。

Titan具有反應(yīng)離子刻蝕(RIE)配置、高密度電感耦合等離子沉積(HDICP)或等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(PECVD)配置?？蓪蝹€基片或帶承片盤的基片(3”-300mm)進(jìn)行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價格適宜且占地面積小。

刻蝕應(yīng)用范圍：
砷化鎵、砷化鋁鎵、氮化鎵、磷化鎵、磷化銦、鋁、硅化物、鉻以及其他要求腐蝕性和非腐蝕性化學(xué)刻蝕的材料。

沉積應(yīng)用范圍：
二氧化硅、氮化硅、氮氧化物和其他各種材料。

具有ICP選件的Titan系統(tǒng)

Oracle III由真空傳輸系統(tǒng)(CVT)、真空盒升降機(jī)和最多四個工藝反應(yīng)室構(gòu)成。這些工藝反應(yīng)室與負(fù)載鎖對接，既能夠以生產(chǎn)模式運(yùn)行，也能夠作為單個系統(tǒng)獨(dú)立作業(yè)。 Oracle III是市場上最靈活的系統(tǒng)，既可以為實(shí)驗(yàn)室環(huán)境進(jìn)行配置(使用單基片裝卸)，也可以為批量生產(chǎn)進(jìn)行配置(使用真空盒升降機(jī)進(jìn)行基片傳送)。

由于Oracle III 最多可容納四個獨(dú)立的工藝室，其可以有多種不同的工藝組合，其中包括RIE/ICP (反應(yīng)離子刻蝕機(jī)/電感耦合等離子)刻蝕和PECVD 沉積。多個室可以同時工作。鑒于所有工藝室均有真空負(fù)載鎖，工藝運(yùn)行安全且沒有大氣污染。

Oracle III是市場上最小的批量生產(chǎn)用集成系統(tǒng)。

深硅刻蝕:

- 5μm/min的刻蝕速率
- 小于6%的不均勻性
- 刻蝕深度可達(dá)300μm
- 相對于光刻膠15:1的選擇率
- 垂直光滑的壁面
- 縱橫比可達(dá)12:1

5 um wide Si trench etch

200um Si trench etch

120um Si Trench etch

40um wide x 320um deep
Slope approx. 88 degrees

Etching of GaAs/AlGaAs Heterostructures

InP Lens Etch 5.2 micron lens height with PR mask

GaN LED Etch
2.6 micron depth with PR

小批量生產(chǎn)用設(shè)備:

沉積 (PECVD)

Minilock-Orion III是一套的等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(PECVD)系統(tǒng)。 系統(tǒng)的下電極尺寸可為200mm或300mm，且根據(jù)電極配置，可以處理單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸)，或者多尺寸批量處理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)?？沙练e的薄膜包括：氧化物、氮氧化物、無定形硅和碳化硅?？梢允褂玫姆磻?yīng)氣體包括：硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧、氮、基硅烷和甲烷。

該系統(tǒng)可選配一個三極管(Triode)或電感耦合等離子(ICP)源。其中三極管使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子，從而控制薄膜應(yīng)力。基片通過預(yù)真空室裝入工藝室，其避免了與工藝室以及任意殘余沉積副產(chǎn)品接觸，從而提高了用戶的安全性。預(yù)真空室還使得工藝室始終保持在真空下，從而保持反應(yīng)室與大氣隔絕。

Minilock-Orion III PECVD

刻蝕 (RIE)

Minilock-Phantom III 具有預(yù)真空室的反應(yīng)離子刻蝕機(jī)。適用于單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸)，為實(shí)驗(yàn)室和試制線生產(chǎn)環(huán)境提供的刻蝕能力。它也具有多尺寸批量處理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系統(tǒng)有多達(dá)七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。該反應(yīng)室還可以用于去除光刻膠和有機(jī)材料?？蛇x配靜電吸盤(E-chuck)，以便更有效地在刻蝕工藝中讓基片保持冷卻。該E-chuck使用氦壓力控制器，及在基片背面保持一個氦冷卻層，從而達(dá)到控制基片溫度的作用。

該設(shè)備可選配一個電感耦合等離子(ICP)源，其使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子，從而提高刻蝕速率和各向異性等刻蝕性能。

Minilock-Phantom III具有ICP(感應(yīng)耦合等離子)選項(xiàng)的刻蝕系統(tǒng)

實(shí)驗(yàn)室/研發(fā)/芯片失效分析用設(shè)備:

沉積

Orion III 等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(PECVD)系統(tǒng)適用于單個基片、碎片或帶承片盤的基片(2” - 300mm尺寸)，為實(shí)驗(yàn)室和試制線生產(chǎn)提供的沉積能力。Orion III系統(tǒng)用于非發(fā)火PECVD工藝。沉積薄膜：氧化物、氮氧化物、氮化物和無定形硅。工藝氣體 ：<20% 硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧和氮。該設(shè)備可選配一個ICP或三極管(Triode)源。

Orion III

刻蝕

Phantom III反應(yīng)離子蝕刻(RIE)系統(tǒng)適用于單個基片、碎片或帶承片盤的基片300mm尺寸，為實(shí)驗(yàn)室和試制線生產(chǎn)提供的等離子蝕刻能力。系統(tǒng)有多達(dá)七種工藝氣體可以用于蝕刻氮化物、氧化物以及任何需要氟基化學(xué)刻蝕的薄膜或基片(如碳、環(huán)氧樹脂、石墨、銦、鉬、氮氧化物、聚酰亞胺、石英、硅、氧化物、氮化物、鉭、氮化鉭、氮化鈦、鎢以及鎢鈦)

Phantom III

Sirus T2 臺面式反應(yīng)離子刻蝕機(jī)(RIE)可用于介質(zhì)以及其它要求氟化基化學(xué)的薄膜刻蝕。用於對矽、 二氧化矽、 氮化矽、石英、聚亞醯胺、鉭、鎢、鎢鈦以及其他要求特徵控制，高度選擇性和良好一致性的材料進(jìn)行蝕刻。

本機(jī)包含200mm下電極, 系統(tǒng)控制器(含電腦主機(jī)及觸控介面)，13.56MHz, 300/600W 射頻發(fā)生器及自動調(diào)諧，四路/六路工藝氣體及自動壓力控制模塊等。占地面積小且堅(jiān)固耐用，非常適合用於研發(fā)，實(shí)驗(yàn)室環(huán)境及失效分析。

Sirus T2 - 臺面式反應(yīng)離子刻蝕機(jī)